Bạn đang xem trang 1 / 1 trang

Transistor ! Cũng thú vị đấy chứ !

Bài viết chưa xemĐã gửi: Thứ 5 Tháng 12 15, 2005 4:05 pm
gửi bởi casaman75
Thực ra, topic này nên nằm ở phần Điện tủ, nhưng cốt yếu nguyên lý vẫn là VLCR, cho nên chúng ta bàn ỏ đây :
Định hướng :
- Transistor là gì?
- Có bao nhiêu loại Transistor, và có thể chia thành mấy họ hàng?
- Nguyên tắc chung của các họ, và chi tiết nếu muốn.
- Tạm vậy, nảy sinh thì ta bàn nữa.

TRANSISTOR :

- Linh kiện điện tử sử dụng nguyên lý và hiện tượng sinh ra khi ghép các bề mặt bán dãn pn, pnp, pnpn...cùng với đặc tính VA của nó để điều khiển dòng và thế trong mạch điện tử, đơn giản nhất chúng ta hiểu như vậy.
- Có rất nhiều loại Transistor lớn bé, ; ) và cũng có rất nhiều cách chia, nhưng có lẽ chia làm 2 nhóm chính :
+ Transistor Bipolair : Các lớp ghép pn và khuếch tán hạt tải giữa chúng thực hiện theo cơ chế dòng và áp sinh ra khi phân cực (1). Như vậy tiếp xúc ngoài nối trực tiếp Transistor.
VD npn, pnp, TBH ( khi tần số rất cao - )
+ Transistor Trường Các lớp ghép pn và khuếch tán hạt tải giữa chúng thực hiện theo cơ chế điều khiển bằng Trường, sinh ra do hiệu ứng tụ điện giữa electrod (- chỉ nơi đặt tiếp xúc ngoài vào Transistor ) và bán dấn, thông qua 1 lớp cách điện ( SiO2 chẳng hạn )

Hai loại đều có 3 cực EBC và SGD đối với loại 2.
- Để hoạt động ở tần số siêu cao, Transistor trường và Transistor bipolair với ghép dị thể (hétéro - nếu chúng ta đã nghe ) chiếm ưu thế ( Max đã tới 300GHz - nếu chúng ta không nhầm ). Công suất cũng lớn hơn, nên có thể tương lai, chỉ còn Transistor Trường.

(1) / Giữa các lớp ghép luôn có khuếch tán hạt dẫn và tập trung chúng ở giao diện, do đó hình thành 1 rào thế từ Dương sang Âm, mắc nguồn 1 chiều làm giảm rào thể này ta có phân cực thuận (hay thẳng ) và ngược lại.

Tạm thế ! :ohm

Bài viết chưa xemĐã gửi: Thứ 5 Tháng 12 15, 2005 4:10 pm
gửi bởi casaman75
Câu hỏi :

- Nêu 1 cách bạn nghĩ ra để tính chiều rộng vùng khuếch tán giữa 1 lớp pn, ta chỉ bàn định tính phương án?
- Vùng khuếch tán bên nào "dầy" hơn?

Bài viết chưa xemĐã gửi: Thứ 6 Tháng 12 16, 2005 2:08 am
gửi bởi khach

Bài viết chưa xemĐã gửi: Thứ 6 Tháng 2 17, 2006 11:16 am
gửi bởi khach
tốt, trang đấy cực chuẩn nhưng nhiều vấn đề lắm đấy !

Câu hỏi 2 :

- Tại sao Transistor Trường (FET..) sẽ thay thế dần Trans lưỡng cực thông thường, lí do cốt yếu là gì.
- Chỉ với 1 elctrons, có chế đc 1 Trans không, khó khăn chính?

Kí : casa

Bài viết chưa xemĐã gửi: Thứ 6 Tháng 4 14, 2006 1:34 pm
gửi bởi khach
- Transistor truong FET se thay the hoan toan Bipolair, vi co the hoat dong o vung tan so sieu cao, voi cong suat tieu hao cuc thap, dien quan trong nhat la hien nay cong nghe san xuat ( bang phuong phap dopage - hoac cu hon nhu epitaxi, implantation - ban pha de = ion... thuc hien tren 1 be mat nam ngang, nhu vay cuc li tuong cho san xuat FET voi G, D va S, chang dung B, C, E nua lam gi cho met, bon nay NPN thang dung va phan thang junction theo be doc

- Tran 1 électron la van de cuc hay, e bi giam trong 1 ho the, tao thanh QW - Quantum well, nhu vay dieu khien dan chinh bang thang e nay, thoi gian tre trong kenh - canal nhu vay cuc nho, hieu suat cua Tran cuc cao, boi vi toc do dong mo cua gate - G dong vai tro chinh trong toc do dong giu D va S, ca truc QW la cau truc can giu nhat trong kenh G cua Tran de tang hieu suat, van de kho khan o cho muc tieu cua TG la be day cua Canal, toi 2016 muc tieu la 15nm - nhung kich co cua e la co Angstron !

Bài viết chưa xemĐã gửi: Thứ 6 Tháng 6 16, 2006 8:22 pm
gửi bởi khach
=)) dzddzdzdzdzdzdzdzzrzrzzrzr