








nguyentrongxuyen đã viết:Cái này tớ copy lại thôi
1. Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn )
- Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau .



kinhcan đã viết:Hix, cái đó trong sách nó bảo là ghép nối tiếp, không phải hàn
Ý mình về vụ ghép là thế này
Khi lớp E-B được phân cực thuận nên có sự phun hạt tải qua lớp chuyển tiếp, tạo nên dùng IE, (dòng Lỗ trống) Vì lớp bán dẫn loại n(Lớp ở giữa) của B có mật độ hạt tải điện thấp và do lớp B có độ dày nhỏ nên phần lớp số Lỗ trống từ cực E vượt qua lớp B chạy sang lớp chuyển tiếp B-C, tại đây ỗ trống được cuốn qua lớp chuyển tiếp bởi điện trường mạnh, gây nên dùng IC
Nếu ghép 2 cái diod với nhau mình nghĩ là cái chỗ lớp B nó dày, mất đi cái khả năng vượt của Lỗ Trong qua lớp C, nên mất đi tính chất của diod, không biết mình nghĩ vậy có đúng không nữa?

nguyen thuy dung đã viết:sự chuyển động của dòng lỗ trống từ phía cực E qua khu vực B để sang lớp chuyẻntiếp B-C hoàn toàn khác với chuyển đọng giữa 2 điot đọc lập nên tranziot k phải là 2 điot riêng rẽ đấu ngược nhau
Nhân tiện em hỏi luôn nếu ta cho 2 điot riêng rẽ đấu ngược nhau thì được cái gì ạ(pin hay chỉ là 2 cái điot?)
có sách giải thích về sự chuyển đọng của lỗ trống và e trong bán dẫn = thuyết dải năng lượng (theo thuyết lượng tử ý)chứ không giải thích = liên kết của Si như trong SGK lý 11 trang 114-115
vậy không biết cách nào là đúng nhỉ?





Đang xem chuyên mục này: Bing [Bot] và 3 khách